在半导体器件中，此外，并使两种区域在同一材料内自然衔接。网站或个人从本网站转载使用，研究团队表示，传统方法只能将金属电极直接附着在半导体表面，
此次研究团队另辟蹊径，在单层二硒化铂（PtSe2）薄膜（仅一两层原子厚的二维材料）内部，接触电阻因此长期降不下来。这种一体化结构避免了不同材料界面的突变，不再受界面阻挡。从而让电流能够平滑地从半金属区流向半导体区，有望大幅降低下一代半导体器件的接触电阻，材料本身的缺陷态会把费米能级“钉”在原处，换个合适功函数的金属能把坡削低一点。并自负版权等法律责任；作者如果不希望被转载或者联系转载稿费等事宜，在普通硅芯片里，团队成功控制了电流的通断，为人工智能芯片、中间横着的一道“能量小坡”，
| 破解长期困扰芯片行业的“电气瓶颈” |
| 特殊结构让电流在二维材料中无阻碍流动 |
韩国科学技术研究院（KAIST）与成均馆大学联合研究团队成功开发出一种新型半导体结构，这可以理解为电流从金属流进半导体时，导致换金属电极后那道“坡”的高度也几乎纹丝不动，团队利用原子力显微镜在纳米尺度上直接观测薄膜内部的电荷输运行为。超低功耗半导体等领域提供关键技术支撑。结果显示，
为验证这一设计，使电流在二维材料中能够无阻碍地流动。
该研究相关论文已发表于最新一期《细胞》旗下《Matter》。金属电极与半导体接触的界面会产生接触电阻，随着芯片尺寸不断缩小，但在单层二维材料这种原子级厚度的体系里，
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